很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层被击穿，使电子元器件失效。即便是致密无针孔的高质量氧化层, 也会在100 V的静电电压下被击穿。对于有保护措施的电路，虽然 击穿电压可能髙于100 V,但危险静电源的电压可能是几千伏，甚 至上万伏。因此，高压静电场的击穿效应仍然是MOS电路的一大 危害。另外，高压静电场也可能使多层布线电路间介质击穿或金属 化导线间介质击穿，造成电路失效。

2.潜在性失效

潜在性失效是指当电子元器件暴露在ESD环境中，可能引起电子元器件性能的部分退化,但是暂时不影响它发挥应有的功能。然而，电子元器件的使用寿命大大缩短。这种损伤具有累加性，随着所遭受的ESD脉 冲次数的增多，使器件的静电损伤电压阈值逐次降低，或使器件的 参数缓慢变坏。据资料统计表明:潜在性失效占电子元器件ESD失 效总数的90%。因此,电子元器件的潜在性失效危害更大。